英诺赛科（珠海）科技有限公司举办8英寸硅基氮化镓通线投产仪式。据报，这是中国首条构建量产的8英寸硅基氮化镓生产线。

由于高温环境下生长的氮化镓薄膜加热时加热错配形变的驱动下，更容易再次发生裂痕或翘曲，沦为硅基氮化镓大英寸简化的主要障碍，英诺赛科采行独特技术解决问题了这一挑战，将硅基氮化镓晶圆尺寸前进到8英寸。英诺赛科董事长骆薇薇回应：“经过2年的希望我们再一竣工中国首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片生产线，并顺利量产，添补了我国在这一领域的空白。这既是一个里程碑也是一个新的起点。

公司将之后在技术前沿上前进，做到行业发展趋势，在应用领域上大大拓展，在市场上与多方合作，将公司竣工行业内最不具影响力的企业。”英诺赛科总经理孙在亨回应：“氮化镓又被称作长禁带半导体，是当今世界上最不具潜力的半导体材料之一。

中国是世界上仅次于的半导体产品市场，同时也是产业技术发展最很快国家。氮化镓产业将带给极大的创意发展机遇。

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