以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，不具备低穿透电场、低热导率、低电子饱和状态速率及抗强电磁辐射能力等出色性能，在光电子和微电子领域具备最重要的应用于价值，适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件。据科技部网站消息，“十二五”期间，863计划重点反对了“第三代半导体器件制取及评价技术”项目。近日，科技部工业园司在北京的组织开会项目竣工验收不会，项目重点环绕第三代半导体技术中的关键材料、关键器件以及关键工艺展开研究，研发出有基于新型基板的第三代半导体器件PCB技术，符合对应高性能PCB和低成本消费级PCB的市场需求，研制出高带宽GaN闪烁器件及基于闪烁器件的红外线通信技术，并构建智能家居展示系统的批量生产；积极开展第三代半导体PCB和系统可靠性研究，构成涉及标准或技术规范；制取出有高性能SiC基GaN器件。

通过项目的实行，我国在第三代半导体关键的SiC和GaN材料、功率器件、高性能PCB以及红外线通讯等领域获得突破，自律发展出有涉及材料与器件的关键技术，有助承托我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建设上的根本性市场需求。“十三五”期间，为更进一步推展我国材料领域科技创新和产业化发展，科技部制订了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》，将“战略先进设备电子材料”列入发展重点之一，以第三代半导体材料与半导体灯光、新型表明为核心，以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点，推展跨界技术统合，守住先进设备电子材料技术的制高点。

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